TFET; BTBT; Sub-threshold Swing; Trans-Conductance; TCAD;
机译:沟道厚度变化对超薄体III-V MOSFET的能带结构和源极至漏极隧穿的影响
机译:超大规模Si,Ge和III-V DG-FET中源极到漏极直接隧穿的综合仿真研究
机译:高k绝缘子和源堆对双栅极隧道FET性能影响的仿真研究
机译:扩展源超薄体双栅极隧道FET的详细仿真研究
机译:平面源极袋(PSP)隧道MOSFET:适用于低功耗应用并改善隧道MOSFET性能的潜在器件解决方案。
机译:基于声子散射机理的超薄体FD SOI MOSFET导热特性研究
机译:高k绝缘子和源堆对双栅极隧道FET性能影响的仿真研究
机译:锥形头体进水后期水洞模拟研究。第二阶段。后体对稳态通气腔的影响