超薄体MOSFET的结构优化(英文)

摘要

对 U TB器件的各结构参数进行了优化 ,给出了 UTB器件设计的指导方向 .在 U TB器件的设计中 ,有三个重要参数 ,即器件的源漏提升高度、锗硅栅 (Gex Si1 - x)中 Ge含量的摩尔百分比和硅膜的厚度 ,并对这三个结构参数对器件性能的影响进行了模拟分析 ,给出了器件各结构参数的优化方向 ,找出了可行 Ge含量的摩尔百分比和可行硅膜厚度之间的设计容区 .通过模拟分析发现 ,只要合理选择器件的结构参数 ,就能得到性能优良的 U