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栾苏珍; 刘红侠; 贾仁需; 蔡乃琼; 王瑾;
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071;
高k栅介质; 肖特基源漏(SBSD); 边缘感应势垒屏蔽(FIBS); 绝缘衬底上的硅(SOI);
机译:降低源极/漏极(LSD)和升高源极/漏极(RSD)超薄体(UTB)SOI MOSFET的比例
机译:使用异质结构栅/非栅型二维电子通道等离子体振动和漏/源肖特基结的谐振太赫兹波检测器
机译:具有SiGe源极和漏极的高性能超薄体c-SiGe沟道FDSOI pMOSFET:$ V_ {rm th} $调整,可变性,访问电阻和迁移率问题
机译:具有高K栅极电介质和按比例缩放的栅-漏/栅-源分隔的超薄体平面InGaAs量子阱场效应晶体管中3-D三栅的静电改善
机译:用于具有源/漏扩展的N型增强型氮化镓基肖特基势垒MOSFET的高级源极注入器
机译:超薄Hf-Ti-O高k栅介电薄膜的电学特性及其在ETSOI MOSFET中的应用
机译:源极/漏极寄生电阻对超薄体III-V沟道金属氧化物半导体场效应晶体管器件性能的影响
机译:少量杂质对高纯铁再结晶和晶粒长大的影响。注3。硼对再结晶的影响及杂质对正常和异常晶粒长大的影响
机译:升高的源/漏SOI晶体管,以及使用超薄SOI(绝缘体上硅)衬底的CMOS器件及其制造方法
机译:形成栅-源-漏重叠电容减小的双栅绝缘体上硅(SOI)晶体管的方法
机译:FinFET pMOS双栅半导体器件,具有通过可收缩的栅电极材料施加到沟道的单轴拉伸应变,<110>晶体取向的电流以及具有沟道的源极和漏极肖特基接触及其制造方法
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