reliability; step bunching; planarization; CMP; TDDB;
机译:CMP处理使4H-SiC外延表面上栅极氧化物的可靠性
机译:4H-SiC外延表面上的缺陷与栅氧化物可靠性之间的关系
机译:4H-SiC外延晶片中梯形缺陷和钝三角形缺陷的栅氧化物可靠性
机译:CMP处理平坦的4H-SiC外延表面上的栅极氧化物的可靠性
机译:与化学机械平面化(CMP)有关的铜表面化学。
机译:CF4等离子体处理HfO2栅电介质的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的电性能和可靠性提高
机译:栅极湿式再氧化对4H-siC(000 1)上制备的金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性和沟道迁移率的影响