AlN ウィスカー添加による低温焼結AlN セラミックスの機能向上

摘要

現在、高電流·高電圧下で使用されるパワー半導体の小型化、高出力化に伴いパワー半導体の発熱密度の 増加が問題とされている。この問題を解決するため、パワー半導体の発熱を減少させること以外に、半導体 が発する熱を外部に放熱させる手段としてセラミックス放熱基板の利用が検討されている。このセラミック ス放熱基板の材料として、高い熱伝導性(180～200 W m~(-1) K~(-1))と電気絶縁性を有している窒化アルミニウム (AlN)が利用されている。