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公开/公告号CN113480317A
专利类型发明专利
公开/公告日2021-10-08
原文格式PDF
申请/专利权人 哈尔滨理工大学;
申请/专利号CN202110757894.9
发明设计人 刘刚;温博成;杨志韬;李文权;杨文龙;夏雪;徐珂;
申请日2021-07-05
分类号C04B35/581(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/64(20060101);
代理机构
代理人
地址 150008 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号哈尔滨理工大学
入库时间 2023-06-19 12:49:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2023-03-10
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B35/581 专利申请号:2021107578949 申请公布日:20211008
发明专利申请公布后的视为撤回
机译: 低温烧结微波介电陶瓷的制备方法及所获得的低温烧结微波介电陶瓷的制备方法
机译: 具有玻璃层的低温烧结陶瓷层的制备方法,以及使用低温烧结陶瓷的电模块
机译:高导热性和高强度的AIN陶瓷低温烧结添加剂
机译:Y2O3-LAF3对ALN陶瓷低温烧结和导热率的影响
机译:CaZrO_3-Y_2O_3共添加剂低温烧结制备高强度AlN陶瓷
机译:高导热率和高强度的AlN陶瓷低温烧结添加剂
机译:纳米陶瓷粉的低温烧结:YSZ-氧化铋体系。
机译:仅通过Yb2O3即可通过气压烧结生产高导热率的致密Si3N4陶瓷
机译:Ce:alN陶瓷的宽带白光发射:用于LED和激光驱动固态照明的高导热率下变换器
机译:用于高温电子设备的高导热alN封装