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一种高导热AlN陶瓷低温烧结的制备方法

摘要

一种高导热AlN陶瓷低温烧结的制备方法。本发明为了寻找AlN陶瓷最佳的制备工艺,以满足AlN陶瓷实际生产的需要。本方法如下:一、助烧剂的制备,二、将氮化铝和助烧剂进行球磨处理,球料比为10~30:1,球磨时间1~14h;三、将步骤二所得粉体烘干后,放入模具中,在烧结炉中一定温度、一定压力下保持一定时间;四、冷却后脱模即得高导热陶瓷片。本发明制备的AlN陶瓷成本低,操作简单,强度高等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN113480317A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-10-08

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨理工大学;

    申请/专利号CN202110757894.9

  • 申请日2021-07-05

  • 分类号C04B35/581(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/64(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 150008 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号哈尔滨理工大学

  • 入库时间 2023-06-19 12:49:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2023-03-10

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B35/581 专利申请号:2021107578949 申请公布日:20211008

    发明专利申请公布后的视为撤回

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