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第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会

召开年：2017
召开地：江西衢州
出版时间： 2017-09

主办单位：;中国真空电子材料行业协会;;

会议文集：第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会论文集

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1.95氧化铝瓷与蓝宝石金属化层对比分析
- LI Fen;李芬;TIAN Hong;田宏;ZHU Hong;朱虹;XUE Liao-yu;薛辽豫;XIAO Dong-mei;肖东梅;CHEN Ya-li;陈亚丽;LIU Yan-wen;刘燕文
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：本文采用扫描电镜和能谱研究了不同温度下烧结的95％氧化铝陶瓷和蓝宝石(单晶氧化铝陶瓷)金属化层形貌与元素成分组成,对其金属化现象进行了实验分析.实验结果表明,低温条件(1300°C)下进行烧结,95％氧化铝陶瓷和蓝宝石的金属化层成分与原金属化粉差异不大,金属化层与基体没有互溶作用.金属化层中的锰元素与氧化铝结合形成锰铝尖晶石;高温条件下(1470°C)进行烧结,金属化层中的玻璃相与95％氧化铝陶瓷玻璃相有相互扩散迁移现象;蓝宝石不含玻璃相,且蓝宝石的致密度大于95％氧化铝陶瓷,蓝宝石金属化层中的玻璃相很难向单晶结构的蓝宝石内部扩散.在实验研究的基础上提出了提高蓝宝石金屡化质量的技术措施.
2.A-95陶瓷输能窗热冲击下失效原因分析
- ZHAI Hui-min;翟会敏;LIU Min-yu;刘敏玉;CHEN Bing-lin;陈炳林
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：在行波管的实际生产过程中,窗封组件反复的热冲击状态下出现了集中漏气现象,主要表现在窗陶瓷片承受不住热冲击的影响,在钼杆铜焊针封处漏气,窗瓷片向外发生了断裂.观察断裂的陶瓷窗片表面,发现存在大量晶亮熔融态,晶粒度偏大,有疑似过烧现象.本文对实际生产使用的两种不同烧成工艺的氧化铝窗瓷片,金属化后封接成窗组件,进行热冲击试验;并对两种窗瓷片进行断面的电子扫描显微观察,分析晶粒度大小对封接强度和陶瓷强度的影响.晶粒度大、过烧的陶瓷其抗热冲击能力弱,陶瓷强度低,在热应力集中的针封处易发生微裂纹,陶瓷炸裂,影响窗封组件的可靠性.
3.AlN基衰减瓷的制备工艺及其性能研究
- CHEN Yun;陈昀;LIANG Tian;梁田;YANG Lei;杨磊;LIU Yang;刘洋;REN Zhong;任重
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：采用热压烧结工艺,通过实验确定了烧结温度和压力,制备出AIN基衰减瓷.对材料的物理性能进行测试,热导率大于50 W/mK,抗折强度大于360 MPa.同时从工程化应用的角度出发,对衰减瓷的匹配特性和衰减量进行了测试,驻波比小于1.2,隔离度小于-70 dB.
4.S波段3.1MW磁控管磁路优化设计
- YANG Ji-sheng;杨金生;XIE Lei;谢磊
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：针对S波段3.1Mw磁控管电磁铁与磁控管的配合问题,对磁控管互作用空间磁场分布均匀性进行了测试,通过测试发现磁控管互作用空间角向磁场分布均匀,径向磁场分布变化不大,轴向磁场变化超过40％;采用电磁仿真软件对磁控管内导磁极靴进行了优化设计,磁控管互作用空间轴向磁场变化可控制在10％以内,使磁控管频谱质量更好,工作更为稳定.
5.半导体器件用陶瓷基片材料发展现状
- ZHANG Wei-ru;张伟儒;ZHENG Yu;郑或;LI Zheng;李正;GAO Chong;高崇;TONG Ya-qi;童亚琦
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：陶瓷材料具有优异的力学强度,并具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基片的重要材料.随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求.本文在半导体器件对基片材料性能要求的基础上,介绍了目前常用的氧化铍、氧化铝和氮化铝的性能及应用前景.阐述了新型陶瓷基板材料氮化硅陶瓷的物理力学性能,并与氧化铝和氮化铝的性能进行了比较,分析了氮化硅陶瓷基片在半导体器件上的应用优势,并对其未来前景进行了展望.
6.大功率IGBT模块用氮化铝DBC基板技术研究
- ZHANG Zhen-wen;张振文;CUI Song;崔嵩;ZHAN Jun;詹俊;XU Hai-xian;许海仙
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：IGBT模块随着功率的不断增大,对DBC基板的导热性能提出了更高的要求,常规的氧化铝DBC已经不能满足导热要求,氧化铍由于加工过程有毒限制其推广应用,氮化铝DBC基板成为环保、高效、满足散热的新一代DBC基板.而铜氧化物对氮化铝难以润湿成为氮化铝DBC制备过程的首要难题,铜片与氮化铝键合界面的孔洞严重影响DBC基板的可靠性,本论文主要阐述高可靠氮化铝DBC基板的制造方案,采用化学方法对氮化铝基板表面进行处理,再采用高温氧化技术处理氮化铝陶瓷,形成致密、均匀的氧化层;高质量的氧化层对铜的氧化物提供良好的润湿性能,是制备高可靠氮化铝DBC基板的前提,优化保温温度、时间、氧浓度等条件控制氧化层的厚度,最终得到剥离强度高、孔洞率低的氮化铝DBC基板.
7.高导热氮化硅陶瓷的低温烧结和性能研究
- ZHANG Jing-xianl;张景贤;段于森;DUAN Yu-senl;JIANG Dong-liang;江东亮;CHEN Zhong-muing;陈忠明;LIU Xue-jian;刘学建;HUANG Zheng-ren;黄政仁;YANG Jian;扬建;李晓云;LI Xiao-yun;QIU Tai;丘泰
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：以Si粉体作为起始原料,以Zr02-Y203-MgO作为三元烧结助剂体系,通过流延成型和低温无压烧结工艺制备高导热氮化硅陶瓷基片,研究了ZrO2的引入对于氮化硅尚瓷的低温烧结致密化和热导率的影响规律.实验发现,氧化锆的引入可以明显降低烧结温度,在1800°C.实现氮化硅陶瓷的无压烧结.材料的密度可以达到99％以上,热导率达到72w/m·K.
8.扩散焊技术在W波段行波管折叠波导制备中的应用
- WU Ya-qin;吴亚琴;WANG Yu-chun;王玉春;LIANG Tian;梁田;GA Zhi-qiang;高志强;LI Lin;李林;HE Peng;何鹏;WANG Yong-jian;王永健
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：针对W波段行波管折叠波导超深微小孔的加工瓶颈,采用扩散焊技术实现了折叠波导超深微小孔的整体加工.通过合理的毛坯质量、焊接模具以及优化的扩散焊工艺,实现了折叠波导扩散焊的良品率85％以上,借助精密电火花技术,制备出w波段行波管折叠波导慢波结构.
9.扩散阴极用纯钨棒制备工艺的研究
- HE Xue-liang;何学良;ZHOU Zeng-lin;周增林;CHEN Yun;陈昀;WANG Yu-chun;王玉春;LI Yan;李艳;HUI Zhi-lin;惠志林;WANG Fu;王伏
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：本文以中颗粒钨粉为原料,首先采用射流分级技术进行粒度调控,之后经冷等静压压制成形、氢气高温烧结得到多孔纯钨棒,再对其进行渗铜、机加工及去铜处理,制备出多孔钨基体.结果表明:较之原料钨粉,分级钨粉粒度分布变窄、振实密度明显增加,说明其具有更好的颗粒堆垛性能;随着烧结温度的提高,分级钨粉压制棒坯的孔隙度由1900°C的22.8％线性降低至2050°C的17.8％,2000°C烧结钨渗铜材料的抗拉强度Rm达到864 MPa,去铜后压汞法通孔孔隙度19.85％、平均孔径1.39μm,可用于高可靠扩散式钡钨阴极的制造.
10.铝酸盐工程化过程质量控制分析
- WANG Yu-chun;王玉春;HU Wen-jing;胡文景;LI Xiao-yun;李晓云;WU Ya-qin;吴亚琴;MA Jing;马静;ZHAO Qing;赵请;HE Peng;何鹏
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：通过对2010-2016年铝酸盐的应用性能检测数据的统计与分析,发现了四个异常波动的区域,对区域内铝酸盐制备过程的追查与分析,找到了引起异常波动的因素.解决各因素后铝酸盐应用性能检测数据的统计表明对引起铝酸盐质量波动的因素定位是准确的.铝酸盐应用性能检测数据的统计与分析,间接监测制备过程存在异常的变化,可以通过一定时间跨度内性能变化的趋势提前判断铝酸盐的工程化过程可能有什么因素影响了质量,提前采取措施来及时纠正,保障产品的进度.因此,数据统计和分析可以作为铝酸盐批量生产的特殊过程质量监控的一种手段.
11.钼镍铜合金在陶瓷-金属封接中的应用
- REN Zhong;任重;YANG Lei;杨磊;LIANG Tian;梁田;LIU Yang;刘洋;GAO Zhi-qiang;高志强;LU Xing-da;路兴达
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：本文基于Ka波段行波管高频以及小型化发展,对输能窗良好气密性以及高导热等性能要求,开展了钼镍铜合金窗框与超薄B-99氧化铍陶瓷窗片封接工艺研究,并采用扫描电镜结合能谱分析,对其封接质量予以评价.
12.切削刀具对阴极表面发射均匀性的影响
- WU Ya-qin;吴亚琴;WANG Yu-chun;王玉春;CHU Cheng-yun;储呈云;YAO Jian-bo;姚建波;ZHANG Kun;张坤;FAN Ya-song;范亚松
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：根据理论分析选择适合钡钨阴极凹球面加工的不同刀具材料和几何角度,借助金相显微镜和扫描电镜微观手段,通过工艺试验得出结论:YG3X适合于钡钨阴极的精加工,YG6可用于阴极的粗加工及半精加工;刀具适宜选择小前角和大后角,刀具磨损小,有利于获得纹路清晰的表面.经二极管性能验证,车削后表面纹路清晰的阴极,其对应的阴极发射均匀性较好.
13.水浴加热与不同频率微波加热水解控制合成纳米ZnO
- GE Yun-xian;葛蕴贤;DONG Li-ran;董丽然;WANG Jin-shu;王金淑
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：以二水乙酸锌与六次亚甲基四胺(HMTA)为前驱体,利用水浴加热与不同频率微波加热水解合成纳米ZnO,并用X射线衍射与扫描电镜初步研究了ZnO的晶体结构与生长习性.结果表明,微波与极性分子的偶极极化作用显著改变了ZnO晶体各晶面的生长速度.水浴加热合成的ZnO呈团絮状的羽毛状,而微波加热条件下水解合成的纳米ZnO呈腰鼓型的空心正六棱柱,随着反应时间的延长,腰鼓型的空心正六棱柱逐渐生长成腰鼓型的实心正六棱柱.微波频率大小对ZnO晶体的生长习性无明显影响.
14.陶瓷-金属封接部件的失效分析
- CHEN Yun;陈昀;YANG Lei;杨磊;LIANG Tian;梁田;LIN Xiong-wen;林雄文
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：采用金相制备、扫描电镜、能谱分析等手段,对陶瓷-金属封接部件常见的失效现象进行了分析,梳理了造成封接部件失效的主要原因,并提出了相应的控制措施.
15.陶瓷-金属封接二次金属化研究
- HE Xiao-mei;何晓梅;LIU Hui-qing;刘慧卿;WANG Xiao-ning;王晓宁;ZHAO Chong-xia;赵崇霞;ZHANG Jing;张静;DING Yi-mu;丁一牧
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：本文采用显微结构的分析方法和性能测试手段,以二次金属化层为研究对象开展工艺试验,对陶瓷-金属封接工艺进行了新的探讨.分析结果表明采用电镀Cu作为二次金属化层方案是可行的,并且提出了取消二次金属化层的建议.
16.阴极材料表面加工工艺研究
- WANG Yu-chun;王玉春;吴亚琴;WU Ya-qin;LI Xiao-yun;李晓云;YANG Jian;杨建;HU Wen-jing;胡文景;MA Jing;马静;ZHAO Qing;赵请;武元元;WU Yuan-yuan;ZHANG Yi;张毅
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：采用不同的切削参数和表面处理方法对含铝酸盐阴极进行球面加工,通过扫描电镜及金相显微镜观察对比加工后的基体表面形貌.结果表明:采用主轴转速800r/rain,切削深度0.05mm,进给量小于0.01mm的切削参数,钨绒或银砂纸砂光阴极后再进行等离子刻蚀的组合表面处理工艺,可以制备出满足使用要求的阴极.
17.真空电子功率器件用AlN陶瓷输出窗
- GAO Long-qiao;高陇桥;HE Heng-ping;何衡平
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：本文叙述了陶瓷在功率电子器件输出窗组件中具有特殊地位和作用.当今,氮化铝陶瓷具有高热导率,低的介质损耗和非常低的次级电子发射系数,是一种理想的输出窗片材料.
18.真空电子器件的新机理研究
- LIAO Fu-jiang;廖复疆
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：本文对近年来真空电子器件研究中出现的一些新概念、新设想进行了介绍和评述.随着毫米波(mmW)和太赫兹(THz)频域的进一步开拓,对工作在这些频域真空电子器件的频率、功率、带宽、效率和微制造提出了更高的要求.带状电子注和多电子注是提高器件功率的重要途径;光子带隙技术和真空电子器件的结合为新型器件的发展提供了新的方法;陶瓷行波管的研制给我们带来全新的概念,特别是纳米真空三极管和光三极管概念的提出,为真空电子器件回归数字电路技术展示出令人鼓舞的前景.
19.直接发泡法制备ZrO2纤维增强的ZrO2闭孔泡沫陶瓷
- 代德美;DAI De-mei;刘和义;LIU He-yi;吴哲;WU Zhe;刘聪;LIU ConG
- 《第十七届电子陶瓷制造、陶瓷—金属封接技术交流会暨真空电子与专用金属材料分会年会》 | 2017年
摘要：以立方相ZrO2粉末为基体、ZrO2纤维为增强体、聚乙烯醇为粘结剂,利用氧氯化锆与过氧化氢反应发泡聚凝,高温烧结获得ZrO2纤维增强的ZrO2闭孔泡沫陶瓷.采用扫描电镜、X射线衍射、导热系数测试、加热线收缩测试、力学性能测试对样品进行了综合研究,探讨了发泡剂加入量、纤维加入量及粘结剂加入量对发泡效果及陶瓷性能的影响.结果表明:当Zr02粉末∶Zr02纤维∶氧氯化锫∶过氧化氢∶聚乙烯醇质量比为1∶0.31～0.55∶0.04∶0.15～0.20∶0.01～0.02时,所得泡沫陶瓷性能较好,气孔率约80％,密度约1.25 g/cm3,导热系数约0.09 W/(m·K),1700°C/12 h加热永久线收缩约1％,抗弯强度达114 MPa.