Selective area growth; Nanostructures; InGaN; GaN; LED; Photoluminescence; White-light emission; Single color emission; Core-shell; Non-polar; Semi-polar; Pseudo substrates; Coalescence;
机译:III型氮化物纳米结构MBE选择性区域生长的进展:从NanoLEDs到伪衬底
机译:用于在GaN(0001)衬底上制造量子纳米结构的AlGaN / GaN的ECR干蚀刻和选择性MBE生长的研究
机译:GaN纳米结构的选择性区域生长:生产高质量(11-20)a平面伪衬底的关键
机译:III-氮化物纳米结构的MBE选择性面积生长研究进展:从纳米升降到伪衬底
机译:由散装基材启用的新型MBE III-氮化物异质结构装置
机译:用于自然-SiOx / Si(111)底物的低温诱导孔形成用于自催化的GaAs纳米线的生长
机译:III族氮化物纳米结构MBE选择性区域生长的研究进展:从nanoLED到伪衬底
机译:半导体纳米结构材料系统的mBE增长