Molecular beam epitaxy; Material systems; Nanostructures; Reprints; Semiconductors; Growth; Analytical facilities;
机译:ESRF BM32光束线的表面(INS)终端站上的纳米结构的原位生长:组合的UHV-CVD和MBE反应器,用于生长的纳米颗粒和半导体纳米线的原位X射线散射研究
机译:III-V半导体纳米结构MBE生长期间的表面应力效应
机译:基于GaAs和GaN半导体材料的近端和远红外量子级联激光器:器件设计和MBE生长
机译:INP和相关材料系统中的半导体纳米线:MBE生长和性质
机译:MBE用于半导体纳米结构的生长,用于研究电子和核自旋增强以及其他物理现象。
机译:基于带有微芯片的过渡掺杂半导体纳米结构材料的智能化学传感器的制造
机译:MBE生长的半导体纳米结构的生长动力学的制备和原位STM研究
机译:monte-Carlo模拟mBE(分子束外延)III-V半导体的生长:RHEED强度动力学的生长动力学,机制和后果