法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-01-27
授权
授权
2013-06-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20120905
实质审查的生效
2013-05-08
公开
公开
机译: III-氮化物半导体生长衬底,III-氮化物半导体外延衬底,III-氮化物半导体元件,III-氮化物半导体自立衬底均具有改善的结晶度
机译: 硅衬底上的-iii-氮化物晶体管器件
机译: 在金属-氮化物生长模板层上形成块状III-氮化物的方法,以及采用这种方法形成的结构