采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法

摘要

一种采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：利用带有纳米压印功能的原子力显微镜，在缓冲层上制备周期阵列的纳米孔洞；步骤4：在周期阵列的纳米孔洞和缓冲层上生长纳米缓冲层；步骤5：在纳米缓冲层上对应纳米孔洞的位置生长定位量子点；步骤6：在定位量子点和纳米缓冲层上生长盖层，完成制备。本发明具有图形精度高、机械损伤小、量子点光电学性质好的特点。