MOSFET; SiGe; DIBL; Transconductance;
机译:应变松弛诱发缺陷的产生对嵌入式Si_(1-x)Ge_x源/漏结泄漏电流的影响
机译:在高Ge分数Si / Si_(1-x)Ge_x / Si(100)异质结构上使用B掺杂SiGe CVD形成具有超浅源极/漏极的0.12μmpMOSFET的制造
机译:核心栅极厚度和GE含量变化对Si_(1-x)Ge_x源/漏极Si-Nanotube JLFET性能的影响
机译:嵌入式Si X_(1-x)Ge _x源/漏极应力诱导P沟道MOSFET性能的研究
机译:用于深亚微米技术的非升高和升高的源极/漏极p沟道MOSFET的设计,制造和表征
机译:高性能矩形栅极U沟道FET的源极和漏极触点之间只有2nm的距离
机译:Si_(1-x)Ge_x合金纳米线的晶格导热系数散射散射:理论研究
机译:si_(1-x)Ge_x / si异质结内部光电发射红外探测器的光响应模型