退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
黄如; 卜伟海; 王阳元;
北京大学微电子所;
短沟道效应; MOSFET; SOI; 硅化锗源/漏结构; 功效应晶体管;
机译:源极和漏极结深度对MOSFET中短沟道效应的影响
机译:具有电感应源极/漏极扩展的纳米SOI MOSFET:抑制短沟道效应的新颖属性和设计考虑
机译:优化源/漏扩展区轮廓以抑制具有高kappa栅极电介质的50 nm以下DG MOSFET中的短沟道效应
机译:模拟源极/漏极区域对MOSFET中短沟道效应的影响
机译:双栅极MOSFET中短沟道效应的分析模型。
机译:同样的季节和漏源水槽调整对葡萄产量和非结构碳水化合物的持续影响
机译:50nm MOSFET的升高的源极/漏极(RSD)-外延层厚度对短沟道效应的影响
机译:具有镍合金源/漏极的基于锑化物的异质结构p沟道mOsFET。
机译:在实际集成电路中使用时,MOSFET晶体管克服了短沟道效应,在面向漏极和源极区域的栅极侧面具有可控的锗浓度梯度
机译:使用异质结构凸起的源极/漏极区域在源极/漏极区域和沟道区域之间具有势垒的横向MOSFET
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。