Atmospheric-Pressure Plasma; Plasma Chemical Vaporization Machining (PCVM); Plasma Etching; Silicon Carbide (SiC); Thinning;
机译:用大气压等离子体刻蚀工艺用狭缝掩模对SiC晶片进行切块
机译:使用狭缝电极通过等离子化学汽化加工来减薄两英寸的碳化硅晶片
机译:用于大面积薄膜沉积和蚀刻的常压等离子体
机译:通过使用大气压等离子体通过等离子体蚀刻碳化硅晶片的背面变薄
机译:硅/硅锗化物异质结构的各向异性碳氟化合物等离子体刻蚀和等离子体刻蚀引起的侧壁损伤
机译:硅晶片蚀刻速率特性具有突发宽度使用150 kHz带高功率突发电感耦合等离子体
机译:利用常压等离子体等离子体蚀刻背面减薄碳化硅晶片