摘要：研究几种不同高压电场诱变效应,探讨高压芒刺电场诱变效应的可能分子机制.将大肠杆菌K12 W3110野生型菌株干燥菌膜用极距为5cm,电极为平行铝板的高压直流、交流、半波整流电场,以及极距为6cm,电极为针板的高压交流电场(高压芒刺电场)处理10min,后分别涂布P-gal和LB平皿,考察不同电场的存活率以及诱变率,后筛选高压芒刺电场诱变的大肠杆菌突变株,提取总DNA,经PCR扩增突变的lacI基因,绘制突变谱,给出高压芒刺电场诱变的可能机制.高压直流、交流、半波整流平板电场处理大肠杆菌K12,3种电场在低剂量处理时(1.5kV/cm时)都表现为对大肠杆菌K12的刺激效应,随着电场剂量增大,3种电场对大肠杆菌K12逐步变为抑制效应.其中直流平板电场的效应最为明显.交流和半波整流平板电场对大肠杆菌K12诱变率变化不大,均未达到对照组的2倍.直流平板电场在4.5 kV/cm时,突变率达到极大值5.8×10-6,是对照组的2.32倍.用高压芒刺电场处理大肠杆茵,在场强为lkV/cm时,突变率为31.2×10-6,分别是自发突变(1.2×10-6)和对照(2.5×10-6)的26倍和12倍.从突变谱看,高压芒刺电场组还发现了自发突变组中没有发现的A:T→)T:A的颠换和280bp的大片段缺失,同时还有G:C→)A:T的增加.高压直流、交流、半波整流平板电场对大肠杆菌具有一定的诱变效应,但是其诱变效应不明显.高压芒刺电场是一种损伤低、突变率高,突变谱广的很好的诱变剂.高压芒刺静电场对大肠杆菌的诱变效应是可能是由于电场作用引起大肠杆菌SOS反应而导致的.
