机译:在带有栅极场板的高纯度半绝缘4H-SiC衬底上实现的高压横向双注入MOSFET
机译:在不使用外延层的情况下在轴半绝缘衬底上制备4H-SiC横向双注入MOSFET
机译:在半绝缘GaAs衬底上通过MOCVD生长具有高电流比Ion / Ioff的In0.23Ga0.77As高性能沟道MOSFET
机译:半绝缘衬底上的4H-SiC RF MOSFET的特性
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:4H-SIC双沟MOSFET采用分流异质结闸用于改善开关特性
机译:半绝缘衬底上的增强模式p沟道GaAs MOSFET