机译:考虑随机掺杂波动模型以准确预测45 nm及更高工艺中的金属氧化物半导体场效应晶体管的阈值电压变化
机译:纳米级单栅,双栅和围栅场效应晶体管中随机掺杂引起的阈值电压波动的比较
机译:面向闪存EEPROM晶体管的非平面MOS结构中掺杂剂引起的阈值电压色散的三维模拟
机译:纳米晶体晶体管中随机掺杂剂感应阈值波动的预测
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管中随机掺杂引起的阈值电压波动分析
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:量子力学增强随机掺杂剂诱导阈值电压波动和降低亚0.1微米mOsFET
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响