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具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管

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摘要

一种具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管，包括具有长度Lg的栅极和掺杂为具有第一掺杂剂浓度的阱。屏蔽区域定位在所述阱与所述栅极之间且具有大于5×10

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-02-22

授权

授权
2015-09-02

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 29/10 变更前: 变更后: 登记生效日:20150807 申请日:20110621

专利申请权、专利权的转移
2013-07-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/10 申请日:20110621

实质审查的生效
2013-04-17

公开

公开

1. 具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管 [P] . 中国专利： CN103053025B . 2017.02.22
2. 具有多个阈值电压沟道材料的晶体管结构 [P] . 中国专利： CN111344869A . 2020-06-26
3. ADVANCED TRANSISTORS WITH THRESHOLD VOLTAGE SET DOPANT STRUCTURES [P] . 美国专利： US2015340460A1 . 2015-11-26

机译：具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管
4. ADVANCED TRANSISTORS WITH THRESHOLD VOLTAGE SET DOPANT STRUCTURES [P] . 韩国专利： KR20130126890A . 2013-11-21

机译：具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管
5. ADVANCED TRANSISTORS WITH THRESHOLD VOLTAGE SET DOPANT STRUCTURES [P] . 世界知识产权组织专利： WO2011163164A1 . 2011-12-29

机译：具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管