Bottom potential; Drain induced barrier lowering (DIBL); Silicon-on-insulator (SOI)- MESFETS; Threshold voltage;
机译:完全耗尽的双栅极和圆柱形环绕栅极MOSFET中的短沟道效应的解析描述
机译:深亚微米双材料栅极(DMG)部分耗尽的SOI MOSFET中抑制短沟道效应的证据-二维分析方法
机译:考虑CMOS低功耗应用的源/漏耗竭效应的双栅堆叠氧化物连接晶体管的分析模型
机译:用于低功耗VLSI应用的完全耗尽的单门SOI MESFET中的短信效应的新分析描述
机译:用于超低压应用的钨栅完全耗尽SOI CMOS器件和电路的研究。
机译:核电厂事故后对辐射健康影响焦虑的关守培训计划的开发和评估:单臂干预试点试验
机译:适用于低功耗亚微米VLSI CMOS应用的低压单相时钟准绝热传递门逻辑系列
机译:短沟道Gaas mEsFET中的扩散效应