【24h】

Challenges in Dual Workfunction Metal Gate CMOS Integration

机译:双工作功能金属门CMOS集成挑战

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摘要

Technical challenges for various integration schemes including gate first dual metal process, fully silicided gate and replacement gate are discussed. Implementation of dual workfunction metal gate CMOS integration is feasible, but needs more systematic reliability assessment.
机译:讨论了各种集成方案的技术挑战,包括栅极的第一双金属工艺,完全硅化栅极和更换门。双工作箱的实施金属栅极门CMOS集成是可行的,但需要更系统的可靠性评估。

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