机译:在25 nm块状CMOS中评估中间隙功函数金属栅可行性的仿真研究
机译:CMOS兼容双金属栅极集成,通过高温金属混合成功地对高k HfTaON进行V_(th)调整
机译:利用金属湿蚀刻工艺在高k电介质上集成双金属栅CMOS
机译:双工作功能金属门CMOS集成挑战
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:用于多通道微流体CMOS微型系统的环氧树脂载体集成芯片和丝网印刷金属化
机译:采用poly-(si,Ge)的高功率0.18μmCmOs工艺的栅极功函数工程