机译:利用金属湿蚀刻工艺在高k电介质上集成双金属栅CMOS
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机译:通过对高K栅极电介质进行原子层蚀刻来改善金属栅极/高K电介质CMOSFET的特性
机译:CMOS兼容双金属栅极集成,通过高温金属混合成功地对高k HfTaON进行V_(th)调整
机译:金属湿法刻蚀对双金属栅/ High-k CMOS器件特性和可靠性的影响
机译:基于future的多金属高k栅极电介质的电气和材料特性,可用于未来的规模化CMOS技术:物理,可靠性和工艺开发。
机译:使用溶液加工的聚合物栅极电介质自对准顶栅金属氧化物薄膜晶体管
机译:Si CMOS处理中具有高K电介质的金属栅极