机译:p-GaN栅极结构和制造工艺对常关型AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管性能的影响
机译:研究i-GaN,n-GaN,p-GaN和InGaN盖层对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的影响
机译:考虑缓冲受体陷阱的P-GaN门AlGaN / GaN高电子移动晶体管栅极控制能力的分析模型
机译:AlGaN / GaN高电子移动晶体管,具有P-GaN底座结构
机译:热,应变和中子辐照对AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管和GaN肖特基二极管中缺陷形成的影响
机译:具有铜填充结构的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的热分析和工作特性:仿真研究
机译:具有铟 - 氧化铟锡栅电极的P-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的示范