一种基于p-GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种基于p‑GaN结构的三维增强型高电子迁移率晶体管及其制造方法，其结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、GaN基三维鳍片、栅极、源极和漏极，其特征在于，还包括内置高阻GaN区，它位于所述栅极的下方与GaN基三维鳍片的两侧区域相邻的缓冲层的上方；所述GaN基三维鳍片的上方和两侧二次外延生长有p‑GaN/AlGaN/GaN异质结；所述栅极包裹在p‑GaN/AlGaN/GaN异质结的上方和两侧，形成三维栅结构；通过刻蚀方式去除栅极两侧区域的p‑GaN层而形成AlGaN/GaN异质结，所述源极和漏极分别设在AlGaN/GaN异质结的两端。本发明能够提高p‑GaN增强型器件的阈值电压与击穿电压。