CHARGE TRAPPING NBTI IN HIGH K GATE DIEECTRIC STACKS

机译：高k门芯片堆中的电荷陷阱和NBTI

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IBM Semiconductor Research & Development Center (SRDC)Research Division, T. J. Watson Research Center, Yorktown Heights, NY 10598

机译：IBM半导体研发中心（SRDC）研究部门，J. Watson Research Center，Yorktown Heights，NY 10598

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来源
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》|2006年||共15页
会议地点
作者
Sufi Zafar; A. Callegari; J. Stathis;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TM21-532;
关键词
CHARGE TRAPPING; NBTI; HIGH K GATE DIEECTRIC STACKS;

机译：电荷捕获;NBTI;高k门芯片堆;

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