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International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks
International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks
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1.
IMPROVEMENT IN THERMAL STABILITY OF MOCVD HfO_2 FILMS USING AN ALD SiN_x INTERFACIAL LAYER
机译:
使用ALD SIN_X界面层改善MOCVD HFO_2膜的热稳定性
作者:
J.H. Jang
;
S.H. Hong
;
T.J. Park
;
J.H.Heo
;
S.R.Yang
;
M.Y. Kim
;
C.S. Hwang
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
SiN_x INTERFACIAL LAYER;
MOCVD HfO_2 FILMS;
THERMAL STABILITY;
2.
MICORSCOPIC AND SPECTROSCOPIC ANALYSIS OF HIGH—k OXIDE HfO_x FILMS
机译:
高k氧化物HFO_x薄膜的血清转化和光谱分析
作者:
Jonghyurk Park
;
Ranju Jung
;
Yongjai Cho
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
MICORSCOPIC;
SPECTROSCOPIC ANALYSIS;
HIGH—k OXIDE HfO_x FILMS;
3.
ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF High-k HfO_2 on Si_(1-x) Ge_x SUBSTRATES
机译:
SI_(1-x)GE_X基板上的高k HFO_2的电气和结构特性
作者:
T. J. Park
;
J. H. Kim
;
S. H. Hong
;
M. Seo
;
J. H. Jang
;
C. S. Hwang
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
ELECTRICAL;
STRUCTURAL PROPERTIES;
Si_(1-x) Ge_x SUBSTRATES;
4.
A SIMPLE APPROACH TO REDUCE INTERLAYER FORMATION OF SPUTTERED HF-BASED GATE DIELECTRICS BY NITROGEN INCORPORATION
机译:
一种简单的方法来减少氮气掺入的溅射HF基介质层间形成的方法
作者:
C. H. Lu
;
Yi-Sheng Lai
;
J. S. Chen
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
GATE DIELECTRICS;
REDUCE INTERLAYER FORMATION;
NITROGEN INCORPORATION;
5.
A NOVEL IRIDIUM PRECURSOR FOR MOCVD
机译:
MOCVD的新型铱前体
作者:
Kazuhisa Kawano
;
T.Furukawa
;
M.Takamori
;
K.Tada
;
T.Yamakawa
;
N.Oshima
;
H.Fujisawa
;
M.Shimizu
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
NOVEL IRIDIUM PRECURSOR;
MOCVD;
6.
THRESHOLD VOLTAGE CONTROL IN POLYSILICON OR FULLY SILICIDED-Hf-BASED GATE DIELECTRIC PMOSFETS USING CONTROLLED LATERAL OXIDATION
机译:
使用受控横向氧化在多晶硅或全硅化HF基介电PMOSFET中的阈值电压控制
作者:
V.Kaushik
;
S.Hyun
;
E.Rohr
;
S.De Gendt
;
S.Van Elshocht
;
A.Delabie
;
J-L.Everaert
;
A.Veloso
;
S.Brus
;
L.Ragnarsson
;
O.Richard
;
M.Caymax
;
M.Heyns
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
THRESHOLD VOLTAGE CONTROL;
CONTROLLED LATERAL OXIDATION;
GATE DIELECTRIC PMOSFETS;
7.
THERMAL ROBUSTNESS OF VFB AND EOT IN HfO,(N) P-MOS DEVICES WITH PARTIALLY SILICIDED Pt GATE ELECTRODES
机译:
HFO,(n)P-MOS装置的VFB和EOT的热稳健性,具有部分硅化PT栅电极
作者:
M. Kadoshima
;
T. Nabatame
;
M. Takahashi
;
A. Ogawa
;
K. Iwamoto
;
W. Mizubayashi
;
H. Ota
;
H. Satake
;
A.Toriumi
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
THERMAL ROBUSTNESS;
(N) P-MOS DEVICES;
SILICIDED Pt GATE ELECTRODES;
8.
CHARACTERIZATION OF ATOMIC-BEAM DEPOSITED GeO_(1-x)N_x/HfO_2 STACKS ON Ge
机译:
GE上的原子束沉积GEO_(1-x)N_X / HFO_2堆栈的表征
作者:
M. Houssa
;
T. Conard
;
J. Van Steenbergen
;
G. Nicholas
;
G. Mavrou
;
Y. Panayiotatos
;
A. Dimoulas
;
M. Meuris
;
M. Caymax
;
M.M. Heyns
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
CHARACTERIZATION;
device characteristics;
gate leakage current;
9.
INDICATION OF LATERAL NONUNIFORMITY OF EFFECTIVE OXIDE CHARGES IN HIGH-k GATE DIELECTRICS BY TERMAN's METHOD
机译:
Terman方法指示高k栅极电介质中有效氧化物电荷的横向不均匀性
作者:
Szu-Wei Huang
;
Jenn-Gwo Hwu
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
TERMAN's METHOD;
HIGH-k GATE DIELECTRICS;
LATERAL NONUNIFORMITY;
10.
MATERIALS INTERACTION AT THE NANOSCALE IN HIGH-K METAL GATE STACKS: THE ROLE OF OXYGEN
机译:
高k金属栅极堆栈中纳米级的材料相互作用:氧气的作用
作者:
S. Guha
;
E. Preisler
;
N. A. Bojarczuk
;
M. Copel
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
MATERIALS INTERACTION;
HIGH-K METAL GATE STACKS;
OXYGEN;
11.
EFFECTS OF THE DEFECTS AT HfO_xN_y/Si INTERFACE ON ELECTRICAL AND RELIABILITY CHARACTERISTICS OF MOS DEVICES
机译:
HFO_XN_Y / SI接口缺陷对MOS装置的电气和可靠性特性的影响
作者:
K. S. Chang-Liao
;
C. L. Cheng
;
C. Y. Lu
;
C. H. Huang
;
S. H. Wang
;
T. K. Wang
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
MOS DEVICES;
RELIABILITY CHARACTERISTICS;
HfO_xN_y/Si INTERFACE;
12.
CHARACTERISTICS OF THERMALLY OXIDIZED-Ti AS A HIGH-K GATE DIELECTRIC ON SiC METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR DEVICES
机译:
SiC金属氧化物半导体器件上作为高k栅极电介质的热氧化-TI的特性
作者:
R. Mahapatra
;
N. Poolamai
;
N. G. Wright
;
Amit K. Chakraborty
;
Karl S. Coleman
;
K. Das
;
S. K. Ray
;
P. G. Coleman
;
C. P. Burrows
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
THERMALLY OXIDIZED-Ti;
HIGH-K GATE DIELECTRIC;
SEMICONDUCTOR DEVICES;
13.
SUB 2 NM THICK ZIRCONIUM DOPED HAFNIUM OXIDE HIGH-K GATE DIELECTRICS
机译:
Sub 2 NM厚锆掺杂铪氧化物高k栅极电介质
作者:
Y. Kuo
;
J. Lu
;
S. Chatterjee
;
J. Yan
;
H. C. Kim
;
T. Yuan
;
W. Luo
;
J. Peterson
;
M. Gardner
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
ZIRCONIUM;
HAFNIUM OXIDE;
HIGH-K GATE DIELECTRICS;
14.
HARGE TRAPPING EFFECTS IN HIGH-K TRANSISTORS
机译:
高k晶体管中的电荷捕获效果
作者:
G. Bersuker
;
C. S. Park
;
J. Sim
;
C. Young
;
R. Choi
;
B. H. Lee
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
HARGE TRAPPING EFFECTS;
HIGH-K TRANSISTORS;
constant voltage stress;
15.
Y-DOPED HfO_2 THIN FILMS GROWN BY INJECTION-MOCVD
机译:
Y掺杂的HFO_2注射MOCVD种植的薄膜
作者:
E. Rauwel
;
C. Dubourdieu
;
F. Ducroquet
;
M. Rossel
;
J. Verbeeck
;
G. Van Tendeloo
;
B. Hollander
;
S. Rushworth
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
Y-DOPED HfO_2;
FILMS GROWN;
INJECTION-MOCVD;
16.
INVESTIGATION OF CURRENT CONDUCTION MECHANISM IN HFO_2 STACK STRUCTURES
机译:
HFO_2堆栈结构中电流传导机制的研究
作者:
Gaddipati S
;
Mansouri M
;
Jeedigunta S
;
Kumar A
;
Chiou Y.L
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
INVESTIGATION;
CURRENT CONDUCTION MECHANISM;
HFO_2 STACK STRUCTURES;
17.
CHARACTERISTICS OF THE Hf02 THIN FILMS GROWN BY REMOTE PLASMA ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD ON THE PLASMA OXIDIZED SI SUBSTRATE
机译:
通过远程等离子体原子层沉积法在等离子体氧化Si衬底上生长的HF02薄膜的特征
作者:
Hyunseok Kang
;
Seokhoon Kim
;
Jinwoo Kim
;
Jihoon Choi
;
Hyeongtag Jeon
;
Choelhwyi Bae
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
CHARACTERISTICS;
Hf02 THIN FILMS GROWN;
PLASMA OXIDIZED SI SUBSTRATE;
18.
INTERFACE TRAP CHARACTERIZATION AND FERMI LEVEL PINNING IN SI-PASSIVATED GE/HFO_2 CAPACITORS
机译:
SI钝化GE / HFO_2电容器中的接口陷阱表征和FERMI水平钉扎
作者:
K. Martens
;
B. Kaczer
;
Ph. J. Roussel
;
G. Groeseneken
;
H.E. Maes
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
GE/HFO_2 CAPACITORS;
INTERFACE TRAP CHARACTERIZATION;
FERMI LEVEL PINNING;
19.
DIELECTRIC PROPERTIES OF (Zr_xTi_(1-x))O_2 FILM ON Ru/SiO_2/Si SUBSTRATES DEPOSITED BY THE ATOMIC LAYER DEPOSITION USING (Zr(OtBu)_4 + Ti(OtBu)_4) COCKTAIL SOURCE
机译:
用(Zr(OTBU)_4 + Ti(OTBU)_4)鸡尾酒源(Zr_SiO_2 / Si基材上的(Zr_xti_(1-x))O_2膜上的介电性能O_2膜沉积(Zr(OTBU)_4 + Ti(OTBU)_4)鸡尾酒源
作者:
Jae-Soon Lim
;
Kyuho Cho
;
Ki-Chul Kim
;
Cha-Young Yoo
;
Sung-Tae Kim
;
U-In Chung
;
Joo-Tae Moon
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
DIELECTRIC PROPERTIES;
Ti(OtBu)_4) COCKTAIL SOURCE;
ATOMIC LAYER DEPOSITION;
20.
INFLUENCE OF THE DEPOSITION TEMPERATURE OF ATOMIC-LAYER DEPOSITED HFO_2 FILMS ON THE CHEMICAL STRUCTURE OF INTERFACE AND INTERFACE TRAP DENSITY
机译:
原子层沉积HFO_2膜沉积温度对界面化学结构的影响及界面陷阱密度
作者:
Jeong Hwan Kim
;
Tae Joo Park
;
Sug Hun Hong
;
Minha Seo
;
Cheol Seong Hwang
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
INTERFACE TRAP DENSITY;
CHEMICAL STRUCTURE;
DEPOSITION TEMPERATURE;
21.
RUTHENIUM AND RUTHENIUM OXIDE FILM DEPOSITION BY MOCVD USING Ru(DMPD)_2
机译:
使用Ru(DMPD)_2的MOCVD钌和氧化钌膜沉积
作者:
Kazuhisa Kawano
;
Hiroaki Kosuge
;
Noriaki Oshima
;
Hiroshi Funakubo
会议名称:
《International Symposium on High Dielectric Constant Gate Stacks》
|
2006年
关键词:
RUTHENIUM;
RUTHENIUM OXIDE FILM DEPOSITION;
MOCVD USING Ru(DMPD)_2;
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