TERMAN's METHOD; HIGH-k GATE DIELECTRICS; LATERAL NONUNIFORMITY;
机译:具有Al {sub} 2O {sub} 3栅极电介质的MOS电容器中有效氧化物电荷的横向不均匀性
机译:电子迁移受具有高k栅极电介质的薄(100)和(110)取向的薄(100)和(110)取向的硅体双栅极金属氧化物半导体场效应晶体管的迁移的限制。
机译:纳米金属氧化物半导体器件界面介电常数的不匹配与高K栅极介电质对反型电荷密度的影响
机译:Terman方法指示高k栅极电介质中有效氧化物电荷的横向不均匀性
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:使用氧化锆纳米线作为高k栅极电介质的高性能顶门石墨烯纳米晶体管
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件