多约束下寻找关键门的门替换技术缓解电路的NBTI效应

摘要

随着晶体管特征尺寸的不断减小,威胁数字电路可靠性的一个重要因素是负偏置温度不稳定性.为了缓解NBTI效应对电路产生的老化影响,文中提出时延约束、路径约束和考虑非门的可防护性约束的多约束下,通过计算门的影响因数的大小来寻找定位关键门集合,用门替换的方法来防护关键门.通过实验进行证明,文中提出的方法不仅识别出的关键门数量少,且更加精准,老化的时延改善率更高.