机译:高迁移率SiGe p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管外延生长在具有HfSiO_2高k介电和金属栅的Si(100)衬底上
机译:具有HfSiO_x阻挡电介质和TiN金属栅极的氮化物存储非易失性存储器的分析,适用于低功耗嵌入式应用
机译:具Hfsio栅极电介质的全应变Si_(0.75)ge_(0.25)外延膜用于高迁移率沟道金属氧化物半导体器件
机译:ALD HFSI至LINK-K介质和CVD-TAN MATE
机译:具有再生源极-漏极区和ALD介电层的最后栅极铟镓砷MOSFET。
机译:具有ALD-Al2O3栅极电介质的全离子注入常关GaN DMOSFET
机译:具有NH3退火的ALD HfTiO栅极电介质的多层MoS2晶体管的改进电性能
机译:波纹金属和双波纹金属表面波的激励效率和地平面介质板的激励效率