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沈雅明; 刘正堂; 冯丽萍; 刘璐; 许冰;
西北工业大学凝固技术国家重点实验室;
高K栅介质; HfSixOy薄膜; 射频磁控反应溅射; 沉积速率;
机译:HfSi_xO_y界面层效应对改善超薄高K TiO_2栅介质的电特性的影响
机译:脉冲激光沉积制备高k栅介质超薄ZrO_2薄膜的结构和介电性能
机译:用于有机-无机薄膜晶体管栅介质的高k有机-无机薄膜的制备研究
机译:铝薄膜氧化制备高A Al_2O_3栅介质的电导模型
机译:降低高κ/金属栅叠层表面制备工艺对环境的影响。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:高电介质薄膜的电解制备季报,可能是4 - 8月。 1965年3月
机译:高k栅介质的半导体结构俘获杂质氧以及形成结构的方法(高k栅介质的捕获金属堆)
机译:高纯度钇制备高纯度钇溅射靶金属栅薄膜的高纯度钇工艺,所述高纯度钇溅射靶金属栅薄膜沉积有所述的金属栅膜,所述器件具有半导体元件和器件
机译:高磷热稳定固体含量的固态薄膜材料和薄膜polifosfeto半导体器件以及将同一装置用于蒸汽输送到仓库的方法!蒸汽的速干用于瞬间蒸发,以及它们各自的工艺与高纯度工艺相匹配以形成磷光体材料制备polifosfetos并用于制备高PAn光学ureza转子荧光粉的复合材料的磷光体,用于光学涂料和抗反射涂料
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