The University of Arizona.;
机译:高kappa栅极堆叠对纳米CMOS器件的传输和可变性的影响
机译:使用动态表面退火的无扩散退火对金属氧化物半导体器件中高ft /金属栅堆叠的电性能的影响
机译:通过分析高kappa /金属栅极CMOS技术的栅极边缘场效应来减少栅极感应的漏极泄漏
机译:TiN表面通过原位氧处理工艺形成的Si扩散势垒对先进的栅极优先金属/高k堆栈的影响
机译:金属氧化物半导体电容器中高kappa栅堆叠的特性
机译:氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面制备和沉积的栅极氧化物
机译:降低高κ/金属栅堆叠表面制备工艺对环境的影响
机译:开发概述,以减少表面处理和清洁过程对环境的影响。