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第一章绪论
第二章实验及测试方法
第三章表面预处理对原子层淀积Al2O3栅介质的影响--材料特性及电学特性
第四章表面TMA处理的模型研究及其应用
第五章表面氮化工艺的理论研究
第六章总结和展望
参考文献
攻读硕士学位期间发表论文
致谢
论文独创性声明及使用授权声明
徐敏;
复旦大学;
介电常数栅介质; 原子层淀积; 位阻效应; 密度泛函;
机译:以LaON为中间层并进行NH3等离子体表面预处理的高k栅介质GaAs MOS器件
机译:绝缘体上硅基衬底上集成高k阻挡电介质和高功函数栅电极的纳米级多栅极TiN金属纳米晶体存储器
机译:臭氧预处理用于高性能MoS2顶栅晶体管的高K氧化物在MoS2上的集成与厚度相关的载流子散射研究
机译:湿法无表面预处理的备用和HFTIO栅电介质GE MOS电容器电性能研究
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:高κ栅介质的最终定标:高κ或界面层清除?
机译:采用湿法NO表面预处理改善了具有HfTiON或HfTiO栅介质的Ge mOs电容器的性能
机译:颗粒冲击表面预处理对类似钢表面粘接强度影响的研究。
机译:一种用于集成电路的一次性可编程存储器件,包括:形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅
机译:高k栅介质的半导体结构俘获杂质氧以及形成结构的方法(高k栅介质的捕获金属堆)
机译:高K栅介质的集成
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