法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-12
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/283 授权公告日:20151028 终止日期:20181122 申请日:20121122
专利权的终止
2015-10-28
授权
授权
2013-10-30
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/283 申请日:20121122
实质审查的生效
2013-02-27
公开
公开
机译: 一种用于集成电路的一次性可编程存储器件,包括:形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅
机译: 在栅电极表面上生长石墨烯的方法和在源/漏表面上生长石墨烯的方法
机译: 石墨烯在栅电极表面上的生长方法及石墨烯在源/漏表面上的生长方法