SC-SiC; Hetero-epitaxial CVD growth; substrate roughness; HRTEM;
机译:使用CVD生长的3C-SiC种子层通过VLS传输在硅衬底上外延生长3C-SiC
机译:使用衬底缺陷工程技术通过MOCVD减少在Si衬底上生长的GaN层中的应变和位错缺陷
机译:LPCVD法在轴Si(110)衬底上异质外延生长3C-SiC膜并进行表征
机译:杂交外延CVD法对Si(110)底物上的3C-SiC缺陷形成的影响
机译:在电子和光子器件应用的硅基板上MOCVD生长的InP和相关薄膜。
机译:HVPE生长的GaN晶体中的应力对MOCVD-GaN / 6H-SiC衬底的影响
机译:si衬底上CVD生长的3C-siC薄膜的残余应力
机译:siC衬底上生长的外延3C-siC,4H-siC和6H-siC薄膜缺陷的研究