4H-SiC; on-axis; carbon face; homoepitaxiy; morphology; micropipe; dislocation.;
机译:在添加了HC1的Si轴6H和4H-SiC轴上生长的同质外延层
机译:通过化学气相沉积法在同轴(0001(-))C面基板上4H-SiC的同质外延生长
机译:使用双三甲基甲硅烷基甲烷前体在4度偏轴Si和C面衬底上生长4H-SiC外延层的比较研究
机译:通过CVD方法在轴上C面基板上生长2英寸4H-SiC同性恋层
机译:研究4H-碳化硅衬底和同质外延层的生长机理和缺陷来源。
机译:影响3C夹杂物发生的因素的调查用于轴上的轴C面4H-SIC外延层
机译:热壁LpCVD生长4H-siC同质外延层中的原位硼和铝掺杂及其记忆效应