Double Gate (DG); Dual Material (DM); Fully Depleted (FD); Radio Frequency (RF); Silicon-on-Insulator (SOI); Short Channel Effects (SCEs);
机译:基于Pearson-IV型掺杂分布的双栅双耗尽全绝缘硅MOSFET的解析模型
机译:考虑多种体掺杂浓度的全耗尽对称双栅MOSFET的连续电流模型
机译:双材料双栅极SOI n-MOSFET:栅极失准分析
机译:具有Pearson-IV型掺杂分布的双材料双栅完全耗尽SOI MOSFET的RF性能
机译:路易斯安那州西南部的巴约谢恩河和拉卡西因巴约流域的土壤粒径分布,土地利用类型和地表水质量。
机译:FinFET和带铁电电容器的全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)MOSFET的磁滞窗口研究
机译:具有pearson-IV型掺杂分布的双材料双栅全耗尽sOI mOsFET的分析表征