molecular beam epitaxy; heterojunction semiconductor devices; semiconducting gallium arsenide;
机译:MBE用δ掺杂基极生长的低散粒噪声GaAs / AlGaAs异质结光电晶体管
机译:Al Mogape生长的具有双Delta掺杂基极的Algaas / gaas异质结光电晶体管
机译:Znδ掺杂基极区的AlGaAs / GaAs异质结光电晶体管
机译:低镜头噪声GaAs / Algaas异质结光晶体管通过MBE和Aδ掺杂底座生长
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:MBE在(100)和(311)A GaAs衬底上生长的Be掺杂AlGaAs中深层缺陷的电学表征
机译:基于GaAs / Algaas表面发射激光器和异质结光电晶体的集成的二进制光开关和可编程光学逻辑门
机译:使用石墨生成的二聚体与标准四聚体砷基团-V源的大块mBE(分子束外延)生长的alGaas和Gaas的低温光致发光的比较