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第一章绪论
第一节低维半导体材料的研究意义
第二节InGaAs/GaAs应变量子阱材料的发展概况
第三节多层应变量子阱材料的应用——垂直外腔表面发射半导体激光器的研究进展
1.3.1引言
1.3.2器件原理
1.3.3 OPS-VECSEL研究进展
1.3.4 OPS-VECSEL的发展方向与展望
第四节本论文研究的内容及组织结构
第二章分子束外延生长技术及材料实验测试方法
第一节分子束外延技术
2.1.1分子束外延原理
2.1.2分子束外延设备
2.1.3分子束外延生长工艺
第二节高质量外延材料的MBE生长
2.2.1 MBE生长动力学原理
2.2.2 MBE生长热力学原理
2.2.3源炉温度与束流的精确控制
第三节材料的实验测试方法
2.3.1原子力显微镜
2.3.2透射电子显微镜
2.3.3 X射线双晶衍射(DCXDR)
2.3.4光致发光谱(PL)
第四节本章结论
第三章InGaAs/GaAs量子阱的生长与光学性质研究
第一节引言
第二节InGaAs/GaAs应变量子阱的基本理论
3.2.1应变量子阱能级
3.2.2临界层厚度
3.2.3应变弛豫对带隙的影响
3.2.4温度对带隙的影响
3.2.5小结
第三节InGaAs/GaAs量子阱的制备与表征
3.3.1引言
3.3.2 InGaAs/GaA5量子阱的样品制备
3.3.3生长厚度和组分的确定
3.3.4小结
第四节生长条件对InGaAs/GaAs应变量子阱光学性质的影响
3.4.1生长温度的影响
3.4.2生长速度的影响
3.4.3生长停顿的影响
3.4.4亚单层生长InGaAs/GaAs应变量子阱的研究
3.4.5小结
第五节本章结论
第四章快速热退火对InGaAs/GaAs应变量子阱光学性质的影响
第一节引言
第二节热退火中的应变弛豫对应变量子阱光学性质的影响
4.2.1实验和退火方案
4.2.2结果和讨论
4.2.3小结
第三节扩散和应变弛豫
4.3.1应变量子阱中的扩散、应变和应变弛豫
4.3.2退火中的互扩散对应变量子阱能级的影响
4.3.3获得扩散激活能的新方法
4.3.4对InGaAs/GaAs应变量子阱快速热退火实验结果的讨论
4.3.5小结
第四节本章结论及需进一步研究的问题
4.4.1研究成果
4.4.2需进一步研究的问题
第五章应变补偿在InGaAs/GaAs应变量子阱中的应用研究
第一节引言
第二节应变补偿技术的基本理论
5.2.1失配位错和博格斯矢量
5.2.2应变量子阱中的有效应力
5.2.3应变补偿对有效应力的影响
5.2.4应变补偿对多量子阱层数的影响
5.2.5小结
第三节应变补偿对InGaAs/GaAs应变量子阱光学性质的影响
5.3.1样品准备
5.3.2 InGaAs/GaAs应变量子阱能带理论简要阐述
5.3.3 InGaAs/GaAs应变量子阱的应变弛豫
5.3.4应变补偿对InGaAs/GaAs应变量子阱光学性质的影响
5.3.5小结
第四节不同应变补偿方式对InGaAs/GaAs量子阱光学性质的影响
5.4.1样品结构
5.4.2测试结果分析与讨论
5.4.3小结
第五节长波长应变补偿量子阱的研究
5.5.1引言
5.5.2实验
5.5.3小结
第六节本章结论及需进一步研究的问题讨论
5.6.1研究成果
5.6.2需进一步讨论的问题
第六章GaAsAs/AlGa1-xAs多周期结构的性质研究
第一节分布布拉格反射镜的制各和研究
6.1.1引言
6.1.2 DBR的设计与生长
6.1.3结果与讨论
6.1.4结论
第二节GaAs/AlGaAs多量子阱材料的非线性吸收效应研究
6.2.1引言
6.2.2反射Z扫描实验及结果拟合
6.2.3.讨论
6.2.4.结论
第三节本章结论
第七章总结与展望
第一节总结
第二节展望
参考文献
致谢
个人简历及攻读博士期间发表论文情况
