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公开/公告号CN212542458U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-02-12
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院上海技术物理研究所;
申请/专利号CN202021257428.1
发明设计人 王林;朱久泰;郭万龙;陈效双;陆卫;
申请日2020-07-01
分类号H01L31/109(20060101);H01L31/0216(20140101);H01L31/18(20060101);
代理机构31311 上海沪慧律师事务所;
代理人郭英
地址 200083 上海市虹口区玉田路500号
入库时间 2022-08-22 19:42:36
机译: /异质结半导体器件的GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法和使用GaAs / AlGaAs选择性刻蚀方法制造p-HEMT的方法
机译: 30周期弱束缚半导体超晶格GaAs / AlGaAs的射频调制太赫兹辐射功率放大方法
机译: 放大30周期弱耦合半导体GaAs / AlGaAs超晶格的RF调制太赫兹辐射功率的方法
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