机译:PH_3和AsH_3等离子体浸没离子注入形成的超浅n〜+ p结
机译:AsH_3等离子体浸没注入形成的超浅n〜+ p结的电学特性
机译:锗注入对以硅化物为扩散源形成的超浅结的电学特性的影响
机译:等离子体浸没注入形成的超浅结的电学特性
机译:使用等离子体浸没离子注入和外延二硅化钴作为掺杂源的超浅结制造。
机译:细胞粘附的等离子聚合的烯丙胺涂层降低了等离子浸入铜离子注入修饰的Ti6Al4V引起的体内炎症反应。
机译:微型四点探针和微霍尔效应:超浅结可靠电特性的方法
机译:离子注入砷化镓形成p-n结的电学特性研究