GaN基板と電子デバイス用GaNエピウェハの最新状況

摘要

VAS法によるGaN基板はLD,LEDなど光デバイス用に実用化している。Geドープによる低抵抗化、タイリング法による大口径化、など高品質化·量産技術向上がすすhでいる。電子デバイス用では高周波用途を中心に実用化がすすhでいる。エピタキシャル成長においては、GaAs系にくらベ、成長条件の許容幅が狭く、高精度の制御が必要である。また、結晶の点欠陥を知り、制御することはエピデザインの一部ともいえる。最近、高品質なGaN基板を使用することによるデバイスの高性能化が多く報告されている。近い将来の実用化が期待される。 GaN; 基板; MOCVD; エピタキシャル成長; 電子デバイス; デバイス特性