机译:GaInP / GaAs集电极-向上隧穿-集电极异质结双极晶体管(C-up TC-HBT):优化制造工艺和外延层结构以用于高效大功率放大器
机译:在双极型晶体管上,基极加宽开始时的集电极电流是集电极-基极电压的函数
机译:SiGe异质结构晶体管在高集电极电流密度下改善了电流增益
机译:SOI上具有外延生长的发射极/集电极区的对称横向NPN晶体管的首次演示
机译:用于降低磷化铟HBT中的基极-集电极寄生效应的制造工艺和外延生长技术。
机译:缩回:将类似外延的Pb(ZrTi)O3薄膜集成到硅中用于下一代铁电场效应晶体管
机译:具有外延和离子注入基极的双极晶体管的集电极电流的温度依赖性
机译:生产工程测量Da-36-039-sC-86727硅平面外延晶体管型2N2193硅生长扩散型2N336