机译:GaInP / GaAs集电极-向上隧穿-集电极异质结双极晶体管(C-up TC-HBT):优化制造工艺和外延层结构以用于高效大功率放大器
机译:具有通孔结构的GaInP / GaAs集电极向上隧穿集电极异质结双极晶体管
机译:具有零偏移和低拐点电压特性的GaInP / GaAs集电极向上隧穿集电极异质结双极晶体管
机译:具有微型散热封装结构的多指GaInP集电极向上异质结双极晶体管的热分析
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机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:具有稳健的Zn-O薄膜晶体管双层异质结构设计和低温制造工艺使用真空和溶液沉积层
机译:使用选择性埋入式子集电极的GaInp / Gaas异质结双极晶体管的制造和特性
机译:采用TBa / TBp和asH3 / pH3源生长的GaInp / Gaas异质结双极晶体管的比较研究