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Electron Devices Meeting, 1971 International
Electron Devices Meeting, 1971 International
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1.
Development of a 400 watt 8.0-12.4 GHz traveling wave tube for airborne ECM applications
机译:
开发用于机载ECM应用的400瓦8.0-12.4 GHz行波管
作者:
Willis R.
;
Rawls J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
2.
A wide band high power 'Long Slot' traveling wave tube
机译:
宽带大功率“长槽”行波管
作者:
Matthews P.S.
;
Curnow H.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
3.
A low distortion 3 kW TWT for satellite communication ground stations
机译:
用于卫星通信地面站的低失真3 kW TWT
作者:
Eggers R.
;
Heintz K.
;
Wachtenheim A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
4.
A three terminal voltage-tunable Gunn effect device
机译:
三端电压可调耿氏效应器件
作者:
Nahas J.J.
;
Schwartz R.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
5.
A little 'BIT' on charge coupled devices
机译:
电荷耦合器件上的一点“ BIT”
作者:
Amelio G.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
6.
Nonlinear, nonlaminar, 3-dimensional computation of electron motion through the output cavity of a klystron
机译:
速调管输出腔中电子运动的非线性,非层状,3维计算
作者:
Albers L.U.
;
Kosmahl H.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
7.
High efficiency enhancement using second harmonic space charge forces: A new generation 'C' band klystron
机译:
利用二次谐波空间电荷力提高效率:新一代“ C”带速调管
作者:
Goldfinger A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
8.
A tri-color image pick-up tube and camera of unusual design
机译:
三色摄像管和异常设计的相机
作者:
Kubota Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
9.
A high power, fluid-cooled, S-band helix traveling-wave tube
机译:
大功率,液冷,S波段螺旋行波管
作者:
Arnett H.D.
;
Kyser R.H.
;
Brown H.E.
;
Jensen J.T. Jr.
;
Peterson P.I.
;
Winslow L.M.
;
Smith S.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
10.
A low-noise Ku-band silicon Pt-n-p+diode oscilator
机译:
低噪声Ku波段硅Pt-n-p + sup>二极管振荡器
作者:
Lee C.A.
;
Dalman G.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
11.
A new approach to EBS technology
机译:
EBS技术的新方法
作者:
Bierig R.W.
;
Simpson J.
;
Mozzi R.
;
Braun M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
12.
A silicon negative affinity cold cathode
机译:
硅负亲和力冷阴极
作者:
Kohn E.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
13.
A very thin flat multi-figure digital or alpha-numeric display tube
机译:
非常薄的扁平多位数字或字母数字显示管
作者:
Yanagisawa Y.
;
Amano Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
14.
A two-frequency coincidence addressing scheme for nematic liquid-crystal displays
机译:
向列液晶显示器的二频重合寻址方案
作者:
Stein C.R.
;
Kashnow R.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
15.
Uniray — Its advantages as a color TV display — A comparison with earlier beam index systems and with shadow-mask displays
机译:
Uniray-其作为彩色电视显示器的优势-与早期的光束索引系统和荫罩显示器的比较
作者:
Sunstein D.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
16.
Power and efficiency of a continuous HF chemical laser
机译:
连续HF化学激光器的功率和效率
作者:
Mirels H.
;
Spencer D.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
17.
Development of an ECL gate with a 300 ps propagation delay
机译:
开发具有300 ps传播延迟的ECL门
作者:
Eckton W.H. Jr.
;
OShea T.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
18.
A low level amplifier with a 700 MHz bandwidth
机译:
具有700 MHz带宽的低电平放大器
作者:
Olson K.H.
;
Waldhauer F.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
19.
The frequency-doubled Nd:YAG laser: A potential transmitter in an optical communication system
机译:
Nd:YAG倍频激光器:光通信系统中的潜在发射器
作者:
Hitz C.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
20.
A mode-locked, sun-pumped Nd:YAG laser
机译:
锁模,太阳泵浦Nd:YAG激光器
作者:
Huff L.
;
Hitz C.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
21.
A stabilized, mode-locked Nd:YAlG laser using electronic feedback
机译:
使用电子反馈的稳定锁模Nd:YAlG激光器
作者:
Kinsel T.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
22.
A new high-voltage planar transistor technology
机译:
新型高压平面晶体管技术
作者:
Spadea G.
;
Hower P.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
23.
A new vertical pnp transistor for integrated circuits
机译:
一种用于集成电路的新型垂直pnp晶体管
作者:
Ryono K.
;
Sasaki I.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
24.
'A punch-through PN-junction-Schottky-barrier microwave oscillator'
机译:
“穿通型PN结肖特基势垒微波振荡器”
作者:
Liu S.G.
;
Risko J.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
25.
'A short-channel, punch-through-breakdown-free MOS transistor'
机译:
“短通道,无穿通击穿的MOS晶体管”
作者:
Nagata M.
;
Masuhara T.
;
Hashimoto N.
;
Masuda H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
26.
GaAs bulk-effect pulse regenerator with a Schottky barrier control gate
机译:
具有肖特基势垒控制栅的GaAs体效应脉冲再生器
作者:
Takeuchi M.
;
Higashisaka A.
;
Sekido K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
27.
A new Schottky-barrier GaAs epitaxial diode for infrared detection
机译:
用于红外检测的新型肖特基势垒GaAs外延二极管
作者:
Yeh C.
;
Shabde S.N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
28.
Development of a 30 kilowatt heat pipe radiator for cooling a klystron collector
机译:
开发用于冷却速调管收集器的30千瓦热管散热器
作者:
Wachtenheim A.
;
Freggens R.A.
;
Harbaugh W.E.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
29.
A self-isolation scheme for monolithic integrated circuits
机译:
单片集成电路的自隔离方案
作者:
Vora M.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
30.
A single crystal multiple-wavelength electro-optic modulator
机译:
单晶多波长电光调制器
作者:
Schlafer J.
;
Fowler V.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
31.
A high voltage ion-implanted MOSFET
机译:
高压离子注入MOSFET
作者:
Erb D.M.
;
Dill H.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
32.
High power S-band traveling-wave tube
机译:
大功率S波段行波管
作者:
Bosma S.L.
;
Rousseau A.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
33.
Thermal limitations on the performance of GaAs low boundary field oscillators
机译:
GaAs低边界场振荡器性能的热限制
作者:
Ladd G.O. Jr.
;
Cullen D.E.
;
Kaul R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
34.
Electron bunching and output gap interaction in broadband klystrons
机译:
宽带速调管中的电子束聚与输出间隙相互作用
作者:
Mihran T.G.
;
Branch G.M. Jr.
;
Griffin G.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
35.
Computer analysis of the double-diffused MOS transistors and integrated circuits
机译:
双扩散MOS晶体管和集成电路的计算机分析
作者:
Lin H.C.
;
Jones W.N.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
36.
Planar indium antimonide n-channel IGFET by proton bombardment
机译:
质子轰击平面铟锑n沟道IGFET
作者:
Pond R.J.
;
Yon E.T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
37.
Detector mosaic for ordnance flash location
机译:
弹药闪光位置的探测器马赛克
作者:
Drukaroff I.
;
Thomas W.R.L.
;
Borkan H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
38.
Pre-aligned gate MOS devices using doped polycrystalline silicon technology
机译:
使用掺杂多晶硅技术的预对准栅极MOS器件
作者:
Maeda K.
;
Shirai K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
39.
Microwave oscillation and amplification with complementary silicon avalache diodes
机译:
互补硅雪崩二极管的微波振荡和放大
作者:
Liu S.G.
;
Risko J.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
40.
Small-area, high-power millimeter wave avalanche diodes
机译:
小面积,高功率毫米波雪崩二极管
作者:
Weller K.P.
;
Wen C.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
41.
Bulk GaAs millimeter-wave detector with fast response
机译:
具有快速响应的块状砷化镓毫米波探测器
作者:
Ballantyne J.M.
;
Baukus J.P.
;
Lavin J.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
42.
Surface charge transistor shift register with refresh
机译:
具有刷新功能的表面电荷晶体管移位寄存器
作者:
Engeler W.E.
;
Tiemann J.J.
;
Baertsch R.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
43.
Optical extraction efficiency of electroluminescent diodes
机译:
电致发光二极管的光提取效率
作者:
Joyce W.B.
;
Bachrach R.Z.
;
Dixon R.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
44.
The channel-conductance increase of conventional MOS transistors by avalanche injection: Application to read-only memory
机译:
通过雪崩注入增加常规MOS晶体管的沟道电导:在只读存储器中的应用
作者:
Takeishi Y.
;
Hara H.
;
Sato T.
;
Ohuchi K.
;
Tango H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
45.
Holographic storage performance of iron-doped LiNbO
3
机译:
掺铁的LiNbO
3 inf>的全息存储性能
作者:
Amodei J.
;
Phillips W.
;
Staebler D.L.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
46.
Higher order modulation and switching of mode-locked states in the Nd:YAG laser
机译:
Nd:YAG激光器中的高阶调制和锁模状态切换
作者:
Clobes A.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
47.
GaP monolithic display with low drive power
机译:
具有低驱动功率的GaP单片显示器
作者:
Kasami A.
;
Naito M.
;
Toyama M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
48.
High power ring laser with diffraction grating coupling and axial mode selection
机译:
具有衍射光栅耦合和轴向模式选择的高功率环形激光器
作者:
Janney G.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
49.
The effects of internal R. F. attenuation on the power output performance of bipolar transistors
机译:
内部射频衰减对双极晶体管功率输出性能的影响
作者:
Hunt R.E.
;
Zoroglu D.S.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
50.
High collector current in epitaxial transistors
机译:
外延晶体管中的高集电极电流
作者:
Bowler D.L.
;
Lindholm F.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
51.
Enhancement of the TEM
00
power in Nd:YAG and Nd:YAlO
3
lasers
机译:
Nd:YAG和Nd:YAlO
3 inf>激光器中TEM
00 inf>功率的增强
作者:
Stein A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
52.
Photoelectronic properties of cadmium sulfide used in optically addressed light valve displays
机译:
光学寻址光阀显示器中使用的硫化镉的光电性能
作者:
Melchior H.
;
Fraser D.B.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
53.
Buried layer ion implanted resistors
机译:
埋层离子注入电阻器
作者:
Seidel T.E.
;
Gibson W.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
54.
MNOS capacitor arrays for electrical and optical stores
机译:
用于电和光存储的MNOS电容器阵列
作者:
Vanstone G.F.
;
Widdows S.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
55.
Mesa planar Schottky barrier diodes
机译:
台面型平面肖特基势垒二极管
作者:
Ashar K.G.
;
Anantha N.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
56.
Acoustic waves and semiconductors
机译:
声波和半导体
作者:
Quate C.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
57.
Solid state frequency indicator
机译:
固态频率指示器
作者:
Nishizawa J.
;
Nonaka T.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
58.
Photoactivated liquid crystal light valves
机译:
光敏液晶光阀
作者:
Beard T.D.
;
Bleha W.P.
;
Braunstein M.
;
Jacobson A.D.
;
Margerum J.D.
;
Wong S.-Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
59.
Design and performance of RF bandpass electron bombarded semiconductor amplifiers
机译:
射频带通电子轰击半导体放大器的设计和性能
作者:
Silzars A.
;
Bates D.J.
;
Long J.A.
;
Roberts L.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
60.
Internal magnet circuits for crossed-field amplifiers
机译:
交叉磁场放大器的内部磁路
作者:
MacMaster G.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
61.
Proton bombardment formation of stripe-geometry heterostructure lasers for 300°K CW operation
机译:
用于300°K CW操作的条纹几何异质结构激光器的质子轰击形成
作者:
DAsaro L.A.
;
Dyment J.C.
;
North J.C.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
62.
Image sensors based on charge transfer by integrated bucket-brigades
机译:
基于集成桶形电荷传输电荷的图像传感器
作者:
Kovac M.G.
;
Shallcross F.V.
;
Pike W.S.
;
Weimer P.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
63.
Hybrid injection locking
机译:
混合注射锁定
作者:
Freiberg R.J.
;
Buczek C.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
64.
He-Cd lasers using re-circulation geometry
机译:
使用再循环几何形状的He-Cd激光器
作者:
Hernqvist K.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
65.
Numerical investigation of the thyristor forward characteristic
机译:
晶闸管正向特性的数值研究
作者:
Cornu J.
;
Lietz M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
66.
Pulse modulation and cavity dumping of lasers using acoustic-optic refraction
机译:
使用声光折射的激光脉冲调制和腔体倾倒
作者:
Johnson R.H.
;
Young E.H. Jr.
;
Montgomery R.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
67.
High performance pedestal transistor for subnanosecond logic
机译:
亚纳秒级逻辑的高性能基座晶体管
作者:
Ghosh H.N.
;
Ashar K.G.
;
Oberai A.S.
;
DeWitt D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
68.
High density ion-implanted C-MOS technology
机译:
高密度离子注入C-MOS技术
作者:
Toombs T.N.
;
Finnila R.M.
;
Dill H.G.
;
Bauer L.O.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
69.
High power communications TWT's with low distortion characteristics
机译:
低失真特性的高功率通信TWT
作者:
Christensen J.A.
;
LeBorgne R.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
70.
Precise frequency and phase control of high efficiency LSA oscillators
机译:
高效LSA振荡器的精确频率和相位控制
作者:
Wilson W.L. Jr.
;
Eastman L.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
71.
The effects of cathode contacts on the noise factor of transferred electron amplifiers
机译:
阴极触点对转移电子放大器的噪声因子的影响
作者:
Johnson H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
72.
Schottky-gate Gunn-effect digital device
机译:
肖特基门耿氏效应数字设备
作者:
Yanai H.
;
Sugeta T.
;
Sekido K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
73.
Amorphous semiconductors
机译:
非晶半导体
作者:
Weiser K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
74.
An experimental klystron for LAMPF
机译:
LAMPF的实验速调管
作者:
Tallerico P.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
75.
Non-intercepting gridded guns for high power linear beam tubes
机译:
大功率线性束管的非拦截式网格枪
作者:
Miram G.V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
76.
An assessment of electrostatically focused klystrons
机译:
静电聚焦速调管的评估
作者:
Smith M.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
77.
Silicon gate complementary MOS structure with field shield
机译:
带有场屏蔽的硅栅互补MOS结构
作者:
Lin H.C.
;
Halsor J.L.
;
Hayes P.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
78.
Charge transport and storage in high-speed complementary MNOS memory transistors
机译:
高速互补MNOS存储器晶体管中的电荷传输和存储
作者:
White M.H.
;
Cricchi J.R.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
79.
GaAs FET technology and performance
机译:
GaAs FET技术与性能
作者:
Hooper W.W.
;
Fairman R.D.
;
Bechtel N.G.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
80.
Silicon diode array target with gating capabilities
机译:
具有门控功能的硅二极管阵列靶
作者:
Stupp E.H.
;
Kostelec J.
;
Steneck W.
;
Lalak J.
;
Kidder M.
;
Crowell M.H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
81.
Application of Auger electron spectroscopy for semiconductor technology
机译:
俄歇电子能谱在半导体技术中的应用
作者:
MacDonald N.C.
;
Palmberg P.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
82.
High performance, low power CMOS memories using silicon-on-sapphire technology
机译:
采用蓝宝石硅技术的高性能,低功耗CMOS存储器
作者:
Meyer J.E.
;
Boleky E.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
83.
Vaccum ultraviolet irradiation sheds new light on radiation induced MOS device failure
机译:
真空紫外线辐射为辐射引起的MOS器件故障提供了新的思路
作者:
Derbenwick G.F.
;
Powell R.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
84.
The use of PSG films as diffusion masks for gallium arsenide
机译:
PSG膜用作砷化镓的扩散掩膜
作者:
Baliga B.J.
;
Ghandhi S.K.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
85.
Variable threshold Q-switching of high gain lasers
机译:
高增益激光器的可变阈值Q开关
作者:
Scott W.C.
;
deWit M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
86.
High repetition rate, continuously-pumped ruby laser
机译:
高重复率,连续泵浦红宝石激光器
作者:
Tseng D.Y.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
87.
Harmonic content in solid state microwave oscillators
机译:
固态微波振荡器中的谐波含量
作者:
Baukus J.P.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
88.
Microwave oscillations in p-n-p and metal-n-p BARITT diodes
机译:
p-n-p和金属n-p BARITT二极管中的微波振荡
作者:
Chu J.L.
;
Coleman D.J. Jr.
;
Sze S.M.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
89.
Profiles of ion-implanted phosphorus in silicon: channeling and dechanneling
机译:
硅中离子注入磷的分布:沟道和去沟道
作者:
Reddi V.G.K.
;
Sansbury J.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
90.
Ion implantation of boron and phosphorus in the fabrication of silicon diode array camera targets
机译:
硅二极管阵列相机靶的制造中离子注入硼和磷
作者:
Pickar K.A.
;
Seidel H.D.
;
Mathews J.R.
;
Dalton J.V.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
91.
Ion implanted voltage variable capacitors and related processing
机译:
离子注入电压可变电容器及其相关处理
作者:
Pollard E.R.
;
King W.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
92.
Performance of electron beam semiconductor amplifiers
机译:
电子束半导体放大器的性能
作者:
Taylor G.
;
True R.
;
Wagner H.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
93.
L-Band matched-impedance tetrode
机译:
L波段匹配阻抗四极管
作者:
Sain W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
94.
White noise test evaluation of power tubes
机译:
功率管白噪声测试评估
作者:
Werntz H.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
95.
Radiation trapping in laser diodes
机译:
激光二极管中的辐射捕获
作者:
Ettenberg M.
;
Lockwood H.F.
;
Sommers H.S. Jr.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
96.
InAs infrared avalanche photodiodes
机译:
InAs红外雪崩光电二极管
作者:
Kim C.W.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
97.
Surface passivation of GaAsP
机译:
GaAsP的表面钝化
作者:
Coerver L.E.
;
Grannemann W.W.
;
Phillips D.H.
;
Kuhlmann G.J.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
98.
The quantitative effects of interface states on the performance of charge coupled devices
机译:
接口状态对电荷耦合器件性能的定量影响
作者:
Tompsett M.F.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
99.
Implanted barrier two phase CCD
机译:
植入式势垒两相CCD
作者:
Krambeck R.H.
;
Walden R.H.
;
Pickar K.A.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
100.
Surface charge transistor imaging array
机译:
表面电荷晶体管成像阵列
作者:
Engeler W.E.
;
Tiemann J.J.
;
Baertsch R.D.
会议名称:
《Electron Devices Meeting, 1971 International》
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