机译:使用电子束光刻和化学放大的抗蚀剂工艺制造7纳米四分之一间距的线和间隔图案的理论研究:III。石英基板上的曝光后烘烤
机译:使用化学放大的抗蚀剂工艺的电子束光刻技术制造7纳米四分之一间距(7纳米间距和21纳米线宽)的线和间隔图案的理论研究:I.灵敏度和化学梯度之间的关系
机译:使用电子束光刻和化学放大抗蚀剂工艺制造具有7 nm四分之一间距的线间距图形时,必须抑制线宽粗糙度
机译:使用化学放大的抗蚀剂控制基材的酸度以进行精确图案制造
机译:砷化镓晶片的表面化学研究在化学放大的抗蚀剂构图过程中进行,并通过荧光进行抗蚀剂研究。
机译:机械磨损的水溶性剥离抗蚀剂和裸基板的无光致抗蚀剂图案化:朝向透明电极的绿色制备
机译:表面精加工技术和半导体制造工艺。基材和环境对化学放大抗蚀剂的影响。
机译:用于金纳米粒子选择性沉积的二氧化硅基板的化学图案化及单电子晶体管的制作