机译:使用电子束光刻和化学放大抗蚀剂工艺制造具有7 nm四分之一间距的线间距图形时,必须抑制线宽粗糙度
EB lithography; chemically amplified resist; line width roughness; sensitivity; sub-8 nm;
机译:使用电子束光刻和化学放大抗蚀剂工艺制造具有7 nm四分之一间距的线间距图形时,必须抑制线宽粗糙度
机译:使用化学放大的抗蚀剂工艺的电子束光刻技术制造7纳米四分之一间距(7纳米间距和21纳米线宽)的线和间隔图案的理论研究:I.灵敏度和化学梯度之间的关系
机译:使用化学放大的抗蚀剂工艺的电子束光刻技术制造7纳米四分之一间距的线和间隔图案的理论研究:V.最佳束大小
机译:基于丙烯酸类聚合物的非化学放大电子束抗蚀剂亚20纳米致密图案的制备工艺研究
机译:探索基于溶出抑制剂的非化学放大抗蚀剂,用于193 nm光刻。
机译:用于高纵横比和高灵敏度电子束光刻的SML抗蚀剂处理
机译:用电子束光刻制造线路图案的制造特性和辊模上的点图案
机译:利用高分辨率电子束光刻和分子束外延制作亚50nm手指间距和宽度高速金属半导体金属光电探测器