Aluminum nitride; III-V semiconductor materials; Ionization; Gallium nitride; Arsenic; Discrete Fourier transforms; Magnesium;
机译:APS -APS 2017年3月会议-活动-通过大规模混合功能计算研究III型氮化物材料中的掺杂效应
机译:稀释 - 阴离子Ⅲ-氮化物中掺杂的前景
机译:基于湿法合成的Sn和Cu掺杂ZnO薄膜作为n型和p型热电材料的材料性能研究
机译:稀阴离子III-氮化物合金的能带反交叉参数研究
机译:稀释阴离子和alinnIII-氮化物半导体的物理和材料
机译:位移Talbot光刻技术用于III族氮化物材料的纳米工程
机译:有机半导体p型掺杂的新方法-致力于将可交联的空穴传输材料应用于最新的微型显示器
机译:III型氮化物中p型掺杂和相关缺陷的系统研究:氮化物HBT的途径。