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提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜

摘要

本公开提供一种提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜,该提升氮化物材料P型掺杂效率的方法,利用外加机械力或材料本身失配应力作用于p型氮化物薄膜的掺杂表面。本公开提供的提升氮化物材料P型掺杂效率的方法及氮化物薄膜,利用外加机械力或材料本身失配应力增大p型掺杂氮化物的晶格常数,降低p型掺杂杂质在氮化物薄膜中的热激活能,提高杂质原子的激活率,从而能够制备出具有高空穴浓度的氮化物p型材料,提高氮化物光电子材料及光电子器件中的空穴注入效率。

著录项

  • 公开/公告号CN109638118B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201811462580.0

  • 申请日2018-11-30

  • 分类号H01L33/00(20100101);H01L33/32(20100101);

  • 代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人任岩

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2022-08-23 11:49:13

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