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公开/公告号CN109638118B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201811462580.0
发明设计人 张宁;冯梁森;魏学成;王军喜;李晋闽;
申请日2018-11-30
分类号H01L33/00(20100101);H01L33/32(20100101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人任岩
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2022-08-23 11:49:13
机译: 通过在生长期间掺杂通过使用p型半极性III族氮化物半导体的p型掺杂剂,III族氮化物器件或III族氮化物半导体的制造方法,半极性III族氮化物半导体以及p型IIIa氮化物半导体的制造方法
机译: 掺杂Mg的III族氮化物半导体的P型导电性的提高方法及P型III族氮化物半导体的制造方法
机译: 化合物半导体发光器件,其包括接合至由未掺杂的六方晶系III族氮化物半导体组成的薄膜层的p型未掺杂的磷化硼基半导体层
机译:一种通过掺杂掺杂磁性元件产生p型宽和超宽度带隙Ⅲ-氮化物的新方法
机译:建立用于创建稀土氧化物薄膜及其摩擦学特性的新方法(第3部分):氧化dium薄膜,氮化物薄膜,氧化物/氮化物复合薄膜
机译:Al_xIn_yGa_(1-x-y)N四元合金中的Mg受体能级:克服氮化物中p型掺杂瓶颈的方法
机译:稀阴离子III-氮化物材料的p型掺杂
机译:稀土掺杂氮化铝,氮化镓和镓铝氮化物粉末和薄膜的可见光的合成与表征
机译:宽带隙氮化物中的杂质共振态p型掺杂
机译:朝向六边形氮化物中的p型传导:HBN / AlGaN异质结的掺杂研究和电测量分析
机译:III型氮化物中p型掺杂和相关缺陷的系统研究:氮化物HBT的途径。