法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-10
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20181130
实质审查的生效
2019-04-16
公开
公开
机译: 通过在生长期间掺杂通过使用p型半极性III族氮化物半导体的p型掺杂剂,III族氮化物器件或III族氮化物半导体的制造方法,半极性III族氮化物半导体以及p型IIIa氮化物半导体的制造方法
机译: 掺杂Mg的III族氮化物半导体的P型导电性的提高方法及P型III族氮化物半导体的制造方法
机译: 化合物半导体发光器件,其包括接合至由未掺杂的六方晶系III族氮化物半导体组成的薄膜层的p型未掺杂的磷化硼基半导体层