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一种提高HVPE中III-氮化物材料掺杂效率的方法和装置

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摘要

一种提高HVPE中III‑氮化物材料掺杂效率的方法和装置，包括以下步骤：将衬底放置在支撑托上；将NH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-17

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B25/14 申请公布日:20180605 申请日:20171219

发明专利申请公布后的驳回
2018-06-29

实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/14 申请日:20171219

实质审查的生效
2018-06-05

公开

公开

1. 一种提高HVPE中III-氮化物材料掺杂效率的方法和装置 [P] . 中国专利： CN108118390A . 2018-06-05
2. 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中掺杂效率的方法 [P] . 中国专利： CN101740360A . 2010-06-16
3. A method for increasing the conversion of group - iii - metal to group - iii - nitride in a group - iii - glycol-containing metal melt [P] . 德国专利： DE102004048453A1 . 2006-04-20

机译：一种提高-iii-含乙二醇金属熔体中-iii-金属向3-iii-氮化物的转化率的方法
4. METHOD OF FORMING LATERAL PN JUNCTIONS IN III-NITRIDES USING P-TYPE AND N-TYPE CO-DOPING AND SELECTIVE P-TYPE ACTIVATION AND DEACTIVATION [P] . US2021296449A1 . 2021-09-23

机译：使用p型和n型共掺杂和选择性p型活化和去激活形成III-氮化物中横向Pn结的方法
5. NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE FOR IMPROVING THE DOPING EFFICIENCY OF A SEMICONDUCTOR LAYER AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF [P] . 韩国专利： KR20130022815A . 2013-03-07

机译：用于提高半导体层的掺杂效率的氮化物半导体发光器件及其制造方法