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High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium

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1.Temperature Dependent Young's Modulus of Si and Ge

机译：Si和Ge的温度依赖性杨氏模量
- 作者：J. Vanhellemont;A. K. Swarnakar;O. Van der Biest
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
2.Ge-on-Insulator MOSFETs for High-Performance and 3D-LSI Applications

机译：用于高性能和3D-LSI应用的Ge-On-In绝缘体MOSFET
- 作者：T. Tezuka;K. Ikeda;Y. Kamata;Y. Kamimuta;K. Usuda;Y. Moriyama;M. Ono;M. Koike;M. Oda;T. Irisawa;E. Mieda;T. Maeda;W. Jevasuwan;Y. Kurashima;H. Takagi;K. Furuse;E. Kurosawa
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
3.Synchrotron Radiation Based X-ray Microdiffraction of Advanced Semiconductor Materials

机译：基于同步辐射的高级半导体材料的X射线微量微量
- 作者：Akira Sakai
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
4.Deep Levels in W-doped Czochralski Silicon

机译：W-Doped Czochralski硅的深度水平
- 作者：E. Simoen;K. Saga;J. Lauwaert;H. Vrielinck
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
5.Precipitation Behaviors of Rapid Thermal Annealing Treated Silicon Wafers under Various Thermal Cycles

机译：在各种热循环下快速热退火处理硅晶片的降水行为
- 作者：DongMyun Lee;TaeHyeong Kim;SoonSung Park;TaeHoon Kim;YongHyun Lee;Eunsik Park;Hwankug Yeo;Robert Falster
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
6.Nature of Point Defects at High-Mobility Semiconductor/Interfaces Probed by Electron Spin Resonance: Thermal GaAs/GaAs-oxide Structures

机译：通过电子自旋共振探测的高迁移率半导体/接口点缺陷的性质：热GaAs / GaAs-氧化物结构
- 作者：A. Stesmans;S. Nguyen;V. V. Afanasev
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
7.Epitaxy-Based Strain-Engineering Methods for Advanced Devices

机译：基于外延的高级设备的应变工程方法
- 作者：D. Grutzmacher;S. Wirths;T. Rieger;D. M. Buca;T. Stoica;M. Lepsa;Q. Zhao;S. Mantl
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
8.Positron Annihilation Spectroscopy on Open-Volume Defects in Group IV Semiconductors

机译：正电子湮没光谱对IV组半导体的开放体积缺陷
- 作者：J. Slotte;F. Tuomisto;J. Kujala;A. M. Holm;N. Segercrantz;S. Kilpelainen;K. Kuitunen;E. Simoen;F. Gencarelli;R. Loo;Y. Shimura
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
9.Solid phase epitaxy of GeSn alloys on silicon and integration in MOSFET devices

机译：MOSFET器件中GESN合金的固相外延和MOSFET器件集成
- 作者：Ruben R. Lieten;Tatsuro Maeda;Jin Won Seo;Wipakorn Jevasuwan;Hiroyuki Hattori;Noriyuki Uchida;Shu Miura;Masatoshi Tanaka;Claudia Fleischmann;Andre Vantomme;Brett C. Johnson;Jean-Pierre Locquet
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
10.First-Principles Studies of the Defect Formation in III-V FETs Grown by Fin Replacement Method

机译：翅片替代方法生长III-V FET中缺陷形成的第一原理研究
- 作者：H. Minari;S. Yoshida;K. Sawada;M. Nakazawa;M. Caymax;C. Merckling;N. Waldron;W. Guo;S. Jiang;N. Collaert;E. Simoen;D. Lin;G. Pourtois
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
11.Growth of Czochralski Silicon Crystals with Ultralow Carbon Concentrations for High-Power Insulated-Gate Bipolar Transistor Devices

机译：具有超级碳浓度的Czochralski硅晶体的高功率绝缘栅双极晶体管装置的生长
- 作者：Yuta Nagai;Satoko Nakagawa;Mitsuo Higasa;Kazuhiko Kashima
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
12.Modeling of Carbon Clustering and Associated Metal Gettering

机译：碳素聚类和相关金属吸气的建模
- 作者：Yu Jin;Scott T. Dunham
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
13.Deep-Level Defects in High-Dose Proton Implanted and High-Temperature Annealed Silicon

机译：高剂量质子植入和高温退火硅的深层缺陷
- 作者：M. Jelinek;J. G. Laven;M. Rommel;W. Schustereder;H. J. Schulze;L. Frey;R. Job
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
14.Material Challenges and Opportunities in Ge/III-V channel MOSFETs

机译：GE / III-V信道MOSFET中的材料挑战和机遇
- 作者：S. Takagi;S. H. Kim;M. Yokoyama;K. Nishi;R. Zhang;M. Takenaka
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
15.Oxygen Precipitation and Defect Generation in Cz Silicon during Second and Millisecond Annealing

机译：在第二和毫秒退火期间CZ硅氧气降水和缺陷产生
- 作者：G. Kissinger;D. Kot;M. A. Schubert;A. Sattler
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
16.Absolute Value Determination of Vacancy Concentration in Silicon Crystals Using Low-Temperature Ultrasonic Measurements

机译：低温超声测量硅晶体空位浓度的绝对值测定
- 作者：H. Yamada-Kaneta;K. Okabe;M. Akatsu;S. Baba;K. Mitsumoto;Y. Nemoto;T. Goto;H. Saito;K. Kashima;Y. Saito
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
17.Formation of Shallow n-p Junctions in Cz-Si by Low-Energy Implantation of Carbon Ions

机译：碳离子低能量植入CZ-Si中浅N-P结的形成
- 作者：B. Romanyuk;V. Melnik;V. Popov;V. Litovchenko;V. Babich;V. Ilchenko;V. Kladko;J. Vanhellemont
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
18.Modeling of Oxygen Precipitation in Silicon

机译：硅沉淀的建模
- 作者：S. T. Dunham;B. C. Trzynadlowski
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
19.Alternative High n-Type Doping Techniques in Germanium

机译：锗中的替代高N型掺杂技术
- 作者：G. Capellini;W. M. Klesse;G. Mattoni;M. Y. Simmons;G. Scappucci
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
20.Ab initio analysis on stability of metal atoms in β-Si_3N_4/Si structure

机译：AB初始分析β-Si_3N_4 / Si结构中金属原子稳定性分析
- 作者：D. Shibata;S. Kobayashi;K. Sueoka;J. Komachi;K. Saga
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
21.Highly Sensitive and Accurate Infrared Absorption Measurement of Carbon Concentration in Si Crystal

机译：Si晶体中碳浓度高度敏感和准确的红外吸收测量
- 作者：N. Inoue;K. Watanabe;H. Seki;H. Uno;H. Oyama;Y. Kawamura
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
22.A New Method to Increase the Doping Efficiency of Proton Implantation in a High-Dose Regime

机译：一种提高高剂量方案中质子植入掺杂效率的新方法
- 作者：M. Jelinek;J. G. Laven;R. Job;W. Schustereder;H. J. Schulze;M. Rommel;L. Frey
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
23.The impact of a (Si)Ge heterojunction on the analog performance of Vertical Tunnel FETs

机译：（Si）Ge异质结对垂直隧道FET模拟性能的影响
- 作者：P. G. D. Agopian;J. A. Martino;A. Vandooren;R. Rooyackers;E. Simoen;A. Thean;C. Claeys
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
24.Single Dislocations as Nanostructure Devices: Physics and Applications

机译：单个脱位作为纳米结构装置：物理和应用
- 作者：M. Reiche;M. Kittler;H. Uebensee;E. Pippel;W. Erfurth
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年
25.Morphology of Oxygen Precipitates in RTA Pre-treated Czochralski Silicon Wafers Investigated by FTIR Spectroscopy and STEM

机译：在RTA预处理的Czochralski硅晶片的氧气沉淀物的形态学通过FTIR光谱和茎研究
- 作者：D. Kot;G. Kissinger;M. A. Schubert;A. Sattler
- 会议名称：《High Purity and High Mobility Semiconductors Symposium》 | 2014年